歐姆龍OMRON傳感器2SMPP-03測量壓力全新
超小型低功耗的MEMS測量壓力傳感器tion

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歐姆龍OMRON傳感器2SMPP-03測量壓力全新

歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器的歷史可追溯到70多年前......歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器以半導體傳感器的發(fā)明為標志，整個發(fā)展過程可以分為以下四個階段：

　　1、發(fā)明階段（1945-1960年）

　　這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標志。此后，半導體材料的這一特性得到較廣泛應用。史密斯（C.S.Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應，即當有外力作用于半導體材料時，其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器是把應變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段小尺寸大約為1cm。

　　2、發(fā)展階段（1960-1970年）

　　隨著硅擴散技術的發(fā)展，技術人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點，實現(xiàn)了金屬-硅共晶體，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。

　　3、商業(yè)化階段（1970-1980年）

　　在硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術，擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術為主，發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術，主要有V形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法。由于可以在多個表面同時進行腐蝕，數(shù)千個硅壓力膜可以同時生產，實現(xiàn)了集成化的工廠加工模式，成本進一步降低。

　　4、微機械加工階段（1980年至今）

　　上世紀末出現(xiàn)的納米技術，使得微機械加工工藝成為可能。通過微機械加工工藝可以由計算機控制加工出結構型的歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內。利用這一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器進入了微米階段

• 在－50kPa～＋50kPa的壓力范圍內具有優(yōu)異的電氣特性。
  偏置電壓：－2.5±4.0mV
  量程電壓：42.0±5.5mV
  (額定壓力50kPa、測量電流DC100μA時)
• 長6.1×寬4.7×高8.2mm的超小型。
• 溫度影響小。
  量程電壓：±3.0％FS
  偏置電壓：±5.0％FS
  (0～85℃、0～50kPa、測量電流DC100μA時)
• 0.2mW的低功耗。

歐姆龍OMRON傳感器2SMPP-03測量壓力全新

額定值/性能：

壓力的種類               儀表壓力
傳感方式                 壓電電阻式
壓力介質                 空氣
驅動方式                 恒定電流驅動
驅動電流                 DC100mA
壓力范圍                 -50～50kPa
耐壓                     -80～120kPa
大驅動電流             大DC200mA
使用環(huán)境溫度范圍          -10～100℃(不結冰、凝露)
使用環(huán)境濕度范圍         10～95％RH(不結冰、凝露)
儲存環(huán)境溫度范圍          -40～120℃(不結冰、凝露)
保存環(huán)境濕度范圍          10～95％RH(不結冰、凝露)
重量                     0.17g
注1. 上述值為23℃時測量的初始值。
注2. 請勿使用空氣以外的腐蝕性氣體。

部分現(xiàn)貨型號：

E8F2-A01C 

E8F2-A01B 

E8F2-B10C 

E8F2-B10B

E8F2-AN0C 

E8F2-AN0B

E8F2-A01C 

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E8F2-B10C 

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產品具體詳見：2SMPP-03 MEMS測量壓力傳感器