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日本歐姆龍OMRON數(shù)字面板表－K3HB-V負載傳感器mV儀表特點：
日本歐姆龍OMRON數(shù)字面板表－K3HB-V負載傳感器mV儀表
性能
| 大顯示位數(shù) | -19999～99999 | |
|---|---|---|
| 采樣周期 | 50次/s(20ms) | |
| 比較輸出響應時間 | 100ms以下(使輸入信號從15%急速變化到95%、或者從95%變化到15%時，比較輸出完成的時間) | |
| 線性輸出響應時間 | 150ms以下(使輸出信號從15%急速變化到95%、或者從95%變化到15%時， 模擬量輸出達到終值所需的時間) | |
| 絕緣電阻 | 20MΩ以上(DC500V兆歐表) | |
| 耐電壓 | AC2,300V 1min 所有外部端子和外殼間 | |
| 抗干擾性 | AC100～240V型 ： 電源端子標準/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脈沖寬度1μs、 100ns) AC/DC24V型 ： 電源端子標準/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脈沖寬度1μs、 100ns) | |
| 耐振動 | 振動頻率： 10～55Hz、加速度： 50m/s2 X、Y、Z各方向 5min×10次掃描 | |
| 耐沖擊 | 150m/s2(繼電器接點為100m/s2) 3軸6方向 各3次 | |
| 本體質量 | 約300g(僅限本體) | |
| 保護結構 | 前面 | 符合NEMA4X室內標準(相當于IP66) |
| 后箱 | IP20 | |
| 端子部 | IP00+指觸保護(VDE0106/100) | |
| 內存保護 | EEPROM(非易失性內存)、 寫入次數(shù) ： 10萬次 | |
| 使用標準 | UL61010-1、 CSA C22.2 No.61010-1-04、EN61010-1(IEC61010-1) 污染度2/過電壓等級Ⅱ EN61326-1 | |
| EMC | (EMI)：EN61326-1 工業(yè)電磁環(huán)境用途 放射妨害電場強度：CISPR 11 Group 1、 class A 雜音端子電壓：CISPR 11 Group 1、 class A (EMS)：EN61326-1 工業(yè)電磁環(huán)境用途 靜電放電抗擾性：EN61000-4-2 ： 4kV(接觸)、 8kV(大氣中) 射頻電磁場輻射抗擾：EN61000-4-3 ： 10V/m 正弦波振幅調制(80MHz～1GHz、 1.4～2GHz) 瞬態(tài)/脈沖群抗擾性：EN61000-4-4 ： 2kV(電源線)： 1kV(I/O信號線) 浪涌抗擾性：EN61000-4-5 ： 1kV線間(電源線)： 2kV大地間(電源線) 傳導干擾抗擾性：EN61000-4-6 ： 3V(0.15～80MHz) 商用頻率磁界抗擾性：EN61000-4-8 ： 30A/m(50Hz) 連續(xù)時間 電壓陷落/斷電抑制能力：EN61000-4-11 ： 0.5周期、 0°/180°、 100%(額定電壓) | |
輸入范圍（測量范圍和精度）
| 輸入類型 | 范圍 | 設定值 | 測量范圍 | 輸入阻抗 | 測量精度 | 允許的瞬間過載(30秒) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 負載傳感器、mV K3HB-VLC | A |
| 0.00～199.99mV | 1MΩ以上 | ±0.1%rdg±1位以下 | ±200V |
| B |
| 0.000～19.999mV | ±0.1%rdg±5位以下 | |||
| C |
| ±100.00mV | ±0.1%rdg±3位以下 | |||
| D | ±199.99mV | ±0.1%rdg±1位以下 |
注1. 環(huán)境溫度為23±5℃時，測量精度可以確保。但大輸入值的10％以下時，各輸入范圍為±0.1％FS。
2. 字母rdg表示讀數(shù)的意思。
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